Помогите разогнать оперативную память DDR2

[Mos]

Какими утилитами и как разогнать оперативную память?

[Terry Benedict]

Лучше всего Биосом. В настройках уменьшашеь тайминги, а потом тестишь. И так всё уменьшаешь и уменьшаешь пока, тест не сможет пройти. Вот тут ты и найдешь предел своей памяти.

[ArtyomK]

Terry Benedict

о_О

Обычно почему-то тайминги как раз увеличивают, и увеличивают частоту памяти)

[Terry Benedict]

А я так делал, года два назад DDR333. Щас молодежь наверно по другому гонит.

[Xardas]

mos

Производитель? Частота, тайминги и сколько вольт ест по дефолту? Есть ли радиаторы?

Какая мать? Проц?

[BRRIDER]

ArtyomKTerry Benedict золотая середина нужна. И тайминги повышать сильно не нужно и частоту повышать надо.

LSY зачем радиаторы?

[Xardas]

BRRIDER

Радиаторы - для отвода тепла от чипов памяти, особенно нужны когда ставишь 2.3v

[BRRIDER]

LSY всегда хватает просто обдува 80 мм вентилем. Радиаторы только мешают отводу тепла.

2.3. обычно ставится только на микроны д9г.

[Xardas]

BRRIDER

У меня с радиаторами все норм и без обдува на 2.3, чем меньше вентилей в системе, тем меньше шума.

2.3. обычно ставится только на микроны д9г.

Да другая память, наверное, не будет нормально при этом работать. А у тебя микроны?

[BRRIDER]

LSY да, микроны.

[Xardas]

BRRIDER

Какие?

У меня D9GKX (crucial ballistix tracer)

[BRRIDER]

LSY разные. D9GCT, D9GMH и еще олдскул "fat body" (BT ). Жаль только что все по 512.

[Xardas]

BRRIDER

Как в разгоне?

Мои 600 берут в режиме 1/1 на 5.5.5.15 при 2.27v, только работают нестабильно.

Для повседневной работы 500 (1/1) на 5.5.5.15 при 2.27v

Добавлено спустя 4 минуты 22 секунды:

А где mos? А то мы тут о своём уже начали...

[BRRIDER]

LSY по разному в разгоне . Одни берут 1200 4-4-4-10 при 2.55В. Другие 1200 4-4-4-10 при 2.5. Третьи выше 1100 не идут, но зато 4-3-3-9.

для обычного разгона какие-то берут 1250+ на 5-5-5 с 2.4В.

на повседневную - 4х512 - 800 при 4-4-4-12.

[Xardas]

У меня 2x1024Mb, гоню её в режиме 1/1 с шиной процессора, выше 500 тест OCCT не проходит , а выше вольты ставить страшно вдруг деградируют.

Мат. плата у меня Biostar Tpower i45 рекордсмен по шине, на оверлокерах писали, что взяла 725 примерно на жидком азоте.

[Mos]

del.

[BRRIDER]

LSY Микрон чем выше напруга тем стабильней.

Но не стоит ставить выше 2.3В - деградация обеспечена 100 % . У меня сдохли как-то давно 2 планки и у друга так же.

mosтебя же попросили указать

Производитель? Частота, тайминги и сколько вольт ест по дефолту? Есть ли радиаторы?

Какая мать? Проц?

[VERVoLF]

У меня вопрос - если нет возмозможности оперативу через БИОС гнать то никак?

[kokon]

блин гони по шине, а тайминги поставь на авто. заодно и проц соответственно погоница. тайминги попробуешь уменьшать, когда найдешь максимальное значение FSB. и делоф то

у мну DDR2 800 погналась до 940, далше не в какую, говорят патамушта 4 планки по 1 гигу, это типа хреново для разгона. поэтому и проц дальше 3760 не гоница сцуко

Добавлено спустя 1 минуту 5 секунд:

а да и напругу надо немного поднять

Добавлено спустя 35 секунд:

и ваще надо маму иметь приличную

[Xardas]

Может кому будет интересно

В данном FAQ'е описывается лишь DDR SDRAM и DDRII SDRAM.. Память (SDRAM,RDRAM, EDO DRAM, FP DRAM, и т.д.) тут не обсуждается.

Вопрос: Как разогнать оперативную память?

Ответ: Существуют два способа – увеличить частоту и уменьшить тайминги. Зачастую улучшение одного параметра даётся ценой ухудшения другого, а значит – приходится искать "золотую середину".

Вопрос: Как увеличить частоту оперативной памяти?

Ответ: Увеличить частоту FSB и/или изменить делитель FSB:memory. Данные параметры выставляются в BIOS'е.

Вопрос: Если я выставлю делитель 1:1, то у меня FSB и память будут работать на одной частоте, то есть будут синхронны?

Ответ: Да. Другое дело, что для разных процессоров разные частоты памяти считаются "родными". Для процессоров Intel "нормальными" считаются следующие сочетания: 100:133, 133:166 и 200:200, то есть "младшие" процессоры семейства Р4 предпочитают асинхронную работу с памятью. Для AMD на чипсетах NForce – лучше синхронная работа. А вот для связки "AMD+VIA" всё очень неоднозначно...

Кроме того – на системах с процессором AMD частота памяти выставляется в процентах от FSB: например – 50%, 60%, 66%, 75%, 80%, 83%, 100%, 120%, 125%, 133%, 150%, 166% или 200%. По сути – тот же делитель, но представлен чуть по-другому.

Также рекомендую к прочтенью Athlon 64: подсистема памяти

Вопрос: С делителями AMD понятно. Какие бывают делители у Intel?

Ответ: Самым распространенным делителем является 1:1 это один из лучших делителей с точки зрения разгона.

4:3, 5:4.- это понижающие делители памяти, характерные для старых чипсетов.

Новые же чипсеты производства Intel в большинство случаев не имеют понижающий делитель памяти, следовательно, для разгона процессора, особенно младших моделей, приходится брать хорошую оверклокерскую память, а вот и сами делители:

5:6, 4:5, 2:3, 5:8, 3:5 и 1:2.

Вопрос: Имею процессор Core 2 Duo E6600, с FSB 1066 Мгц, на данный момент имею память DDRII 533, следовательно, делитель у меня сейчас 1:1, если я куплю память DDRII 1066 Мгц, то делитель у меня будет 1:2, то и производительность у меня возрастет в 2 раза?

Ответ: Нет. Если вы поставите высокочастотную память, то у вас увеличивается лишь теоретическая пропускная способность памяти, однако на самом деле она не будет увеличиваться, т.к. в вашем случае все будет упираться в FSB процессора, 533 Мгц, прирост производительности вы можете увидеть в бенчмарках, в реальных же приложениях прирост будет поменьше, высокая тактовая частота оперативной памяти нужна для хорошего разгона процессора.

Вопрос: Что нужно изменить в биосе при установке новой памяти?

Ответ: Обычно ничего, новую память биос принимает автоматически, однако иногда приходится с новой памятью выставлять необходимую частоту, тайминги и напряжение.

Вопрос:Я в BIOS'е поставил 333 МГц, а CPU-Z показывает "Memory frequency" 166 МГц. Почему?

ответ: Потому что 333 - это "эффективная" частота, а 166 это реальная. Подробное обьяснение - в следующем вопросе.

Вопрос:Что такое DDR?

Ответ: (Double Data Rate или Dual Data Rate SDRAM- двойной канал передачи данных, что позволяет памяти DDR передавать в 2 раза больше данных по сравнению с SD-RAM, где к примеру DDR 400 – это эффективная частота оперативной памяти, а 200 реальная. В прайс листах обычно указывают эффективную частоту.

Вопрос: Что такое РС3200?

Ответ: Теоретическая пропускная способность памяти.

Соответствия:

100 МГц - PC1600 DDR SDRAM - PC100 SDRAM - PC800 RDRAM

133 МГц - PC2100 DDR SDRAM - DDR266 SDRAM - PC133 SDRAM - PC1066 RDRAM

166 МГц - PC2700 DDR SDRAM - DDR333 SDRAM - PC166 SDRAM

200 МГц - PC3200 DDR SDRAM - DDR400 SDRAM

216 МГц - PC3500 DDR SDRAM - DDR433 SDRAM

233 МГц - PC3700 DDR SDRAM - DDR466 SDRAM

250 МГц - PC4000 DDR SDRAM - DDR500 SDRAM

266 МГц – РС2 4200 DDR SDRAM–DDR2 533 SDRAM

333 МГц – РС2 5300 DDR SDRAM – DDR2 667 SDRAM

400 МГц – РC2 6400 DDR SDRAM – DDR2 800 SDRAM

Вопрос: Что такое тайминги?

Ответ: Тайминги – это задержки между отдельными операциями, производимыми контроллером при обращении к памяти.

Некоторые тайминги нам недоступны для настройки, например – время выставления CS# (Crystal Select; по этому сигналу выбирается кристалл (чип) на модуле, с которым будет производиться операция), некоторые – можно менять. Вот те, что обычно доступны:

RAS-to-CAS Delay (RCD) – задержка между сигналами RAS# и CAS#. Необходима для того, чтобы было достаточно времени для однозначного определения строки и столбца адреса ячейки. Иными словами, данный параметр характеризует интервал между выставлением на шину контроллером памяти сигналов RAS# и CAS#.

RAS# (Row Address Srobe) и CAS# (Column Address Strobe) – сигналы, подтверждающие выставление на шину двух составляющих адреса ячейки – строки и столбца соответственно.

CAS Latency (CL) – задержка между командой чтения и доступностью к чтению первого слова. Введена для набора адресными регистрами гарантированно устойчивого уровня сигнала. Обычно на коробках, в которых поставляются модули памяти обозначают именно CAS latency C3, C4, C5 и т.д.

RAS Precharge (RP) – время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS#, то есть – через какое время контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки.

Примечание: порядок операций именно таков (RCD-CL-RP), но зачастую тайминги записывают не по порядку, а по "важности" –CL-RCD-RP (или даже CL-RP-RCD).

Precharge Delay (или Active Precharge Delay; чаще обозначается как Tras) – время активности строки. То есть – период, в течение которого "закрывается" строка, если следующая требуемая ячейка находится в другой строке.

SDRAM Idle Timer (или SDRAM Idle Cycle Limit) – количество тактов, в течение которого страница может оставаться открытой, после чего следует её принудительное закрытие (для доступа к другой странице или операции обновления содержимого).

Для произвольных обращений в память бОльшую пользу приносит использование частого закрытия страниц (чем быстрее закроется одна страница, тем быстрее возможен доступ в другую), тогда как для операций "сплошных" чтения-записи выгоднее дольше держать страницу открытой.

Этот параметр позволяет установить размер конвейера для памяти. Конвейер памяти - это технология, при которой ОЗУ самостоятельно вычисляет следующий адрес при последовательном считывании. Чтобы использовать эту технологию, необходимо: 1.определить длину конвейера, которая соответствует количеству считываемых последовательных данных, 2.начальный адрес данных, 3.разрешить внутреннему счетчику вычислять последовательные адреса. Чем больше размер конвейера, тем выше производительность

последовательного чтения.

Вопрос: Что такое 1T/2T?

Ответ: Это тайминг контроллера command rate, CR, CMD Rate.

Подробнее тут

Также если установить значение данного параметра в значение 1Т, то можно получить ощутимый прирост производительности по сравнению с 2Т, но при 2Т память имеет более сильный разгон, следовательно, если хотите получить более высокою частоту оперативной памяти, то выставите данный параметр в значение 2Т.

Вопрос: Я немного увеличил частоту (или уменьшил тайминги), но дальше память разгоняться отказывается. Что делать?

Ответ: Увеличить напряжение на оперативной памяти, а также «поиграться» с таймингами, как и с основными, так и с второстепенными, т.е. и нужно повысить, тем самым мы можем получить более высокую частоту в разгоне.

Вопрос: Что такое односторонний/двухсторонний модуль память? (SS/DS)

Ответ: Если чипы стоят только с одной стороны PCB, то это модуль памяти односторонний, если с двух сторон, то двухсторонний.

Вопрос: Хочу купить память, но не знаю, точно ли она будет работать на моей материнской плате?

Ответ: Чтобы убедится, будет ли работать память на вашей материнской плате, то посмотрите QVL лист вашей материнской платы, на сайте производителя материнской платы, это те модули памяти, которые были протестированы на совместимость с вашей материнской платой и будут работать без сбоев.

Вопрос: Как изменить тайминги из под Windows?

Ответ: Программами A64Tweaker 0.6 + статья о программе.

Memset 3.2, RightMark Memory Analyzer

Вопрос: Как увеличить напряжение на памяти?

Ответ: В небольших пределах оно меняется из BIOS'а материнской платы. Чтобы изменить больше, чем позволяет материнская плата – надо сделать ей вольтмод.

Вопрос: Насколько безопасно можно увеличивать напряжение на оперативной памяти?

Ответ: Все зависит от типа используемой вами оперативной памяти. Номиналом для памяти DDR является 2.5V. На тех чипах, которые используют 130nm тех процесс, поднимать напряжение можно вплоть до 2.8-2.9V, выше ставить напряжение не рекомендуется, т.к. происходит деградация чипов памяти. Однако память производства Samsung многие свои чипы изготовляет по 90nm процессу и в большинстве случаев на них напряжение выше 2.6V поднимать не приходится.

На памяти DDRII номинальным напряжением является 1.8V, поднимать напряжение на большинстве чипов памяти можно до 2.2V, но с тем условием, что память будет сильно обдуваться или вы поставите хорошие алюминиевые или медные радиаторы.

Кстати, совет всем новичкам. Если, к примеру, вы выставили напряжение на чипах памяти 2.4V, но память при этом теплая, то не стоит думать что такое напряжение можно выставлять на постоянное использование, деградация чипов памяти никак не связано с их температурой, ну а если вы все-таки решили выставить данное напряжение, то не удивляйтесь, если ваша память через полгода просто не будет работать.

Подавать напряжение 2.4V-2.5V можно только для непродолжительных тестов и с сильным охлаждением!

Вопрос: Купил на днях память DDR2 с тактовой частотой 1250 МГц, но на нее заявленное напряжение 2.4V, вместо 1.8V стандартных. Почему?

Ответ: 1250 МГц, это стандарт не утвержденный JEDEC, вы приобрели оверклокерскую память, которую уже разогнали на заводе (скорее всего , выбирали из отборных чипов памяти), следовательно чтобы покорить такую высокую частоту очень сильно повысили на ней напряжение.

Вопрос: Есть у меня модуль памяти DDRII 667 (РС5300), хочу прикупить к нему DDRII 800 (РС6400) Будут ли они работать вместе?

Ответ: Да, будут, но скорость будет ограничиваться самым медленным модулем памяти.

Также и с памятью DDR если вы к существующим PC2100 докупите PC3200, то они будут работать как PC2100.

Вопрос: Купил себе память РС 6400, тайминги заявленные производителем 4-4-4-12, однако CPU-Z и другие программы показывают более высокие тайминги, 5-5-5-15. Почему?

Ответ: Часто производитель памяти в SPD зашивает щадящие тайминги, те тайминги, заявленные производителем памяти нужно выставлять вручную, в биосе или с помощью специальных утилит из-под Windows.

Вопрос: Купил себе память PC8000, тактовая частота 1000 Мгц DDR, выставил данную частоту в биосе, CPU-Z показал частоту 1000 Мгц DDR, решил протестировать память на стабильность, но memtest сыплет ошибками. Что делать?

Ответ: Память у вас оверклокерская, следовательно, нужно выставить напряжение, заявленное производителем памяти и только после этого тестировать память на стабильность, если же необходимое напряжение выставлено, а память все-равно остается нестабильной, то тогда это брак.

Вопрос: Что такое SPD?

Ответ: SPD (Serial Presence Detect) – маленькая микросхема на модуле памяти, в которую записаны все параметры, необходимые для работы модуля (частота, тайминги...). В последнее время в SPD стали добавлять информацию о производителе, дате производства и тому подобную. Однако информация, записанная в SPD может не соответствовать той информации, которая заявлена производителем памяти.

Более полная информация об SPD – http://ixbt.com/mainboard/spd.shtml

Ct SPD 0.9.2- Считывает и показывает информацию из SPD (ПЗУ) модулей памяти, что дает возможность узнать производителя, макс. частоты, латентность и прочее.

Если вы хотите перешить содержимое SPD, то почитайте соответствующую ветку конференции Поиск SPD для памяти

Вопрос: Насколько объём памяти влияет на разгон?

Ответ: Сам по себе объём влияет лишь на быстродействие компьютера в целом – чем больше памяти, тем меньше вероятность свопирования (swaping), а значит – задержек. Но при достижении некоторого порога система практически перестаёт пользоваться свопом, то есть увеличение объёма памяти уже не приносит выигрыша в производительности.

На разгон больше влияет не общий объём, а количество модулей памяти, количество чипов на них и количество банков. При определённых значениях данных величин контроллер перегружается и начинает работать медленнее или с ошибками. Для решения проблемы ненадёжности контроллера при больших объёмах памяти применяется так называемая Registered память. Однако чем могу сказать, что все вышесказанное можно применить к тем платформам, у которых контроллер памяти встроен в процессор, в их случае, чем меньше модулей памяти, тем лучше справляется контроллер памяти, для процессоров Intel, у которых контроллер памяти встроен в чипсет, особой разницы между 2 и 4 модулями памяти нет, с тем условием что у ни одинаковый объем (4*512 vs 2*1024).

Вопрос: Можно ли вместе использовать модули памяти DDR и DDRII?

Ответ: Нет, по внешним признакам они одинаковы, но у них есть различия.

1) Номинальное напряжение для памяти DDR равно 2.5V, для DDRII 1.8V.

2) Разное количество контактов 184 для DDR и 240 для DDRII.

3) Да и частоты у них сильно отличаются, где заканчивается DDR, там только начинается DDRII (максимальная частота для DDR согласно JEDEC является 400 МГц DDR, а для DDRII минимальная 400 МГц DDR)

Вопрос: Что такое Dual channel?

Ответ: Двухканальный режим памяти. При его использовании увеличивается теоретическая пропускная способность памяти, следовательно и повышается общая производительности системы, чтобы активировать двухканальный режим, то нужно лишь иметь 2 или 4 желательно идентичных модуля памяти.

В технологии Intel Flex memory двухканальный режим возможен и с 3 модулями памяти.

А также с двумя модулями памяти разного объема, т.е. могут работать в двухканальном режиме 2 модуля памяти 512+1024 Мб, однако я решил все-таки протестировать данный режим, и не советую его вам использовать, максимум, что я получил, производительность была равна single channel, а в некоторых случаях была и ниже!

Вопрос: А в каких приложениях можно ощутить прирост от использования Dual channel?

Ответ: В большинстве случаев вы можете получить прирост производительности в синтетических приложениях, в бенчмарках, в реальных же приложениях прирост не такой уж и ощутимый, но лишним использование Dual channel не будет.

Вопрос: Разогнал я памяти с номинальных 800 Мгц DDR до 1000 Мгц, при этом напряжение на памяти увеличил до 2.2V. Хочу протестировать память на стабильность. Какими программами это можно сделать?

Ответ: Программами: memtest86 , RightMark Memory Analyzer , Windows memory diagnostic

DocMemory 2.2 beta

S&M

также многие утилиты можно найти на сайте benchmarkhq

Вопрос: Что такое Parity и ECC?

Ответ: Memory with Parity – память с проверкой чётности; позволяет детектировать некоторые типы ошибок. Ныне почти не применяется.

Memory with ECC – память с коррекцией ошибок; позволяет найти и исправить ошибку одного бита в байте (или найти две и исправить одну – в зависимости от алоритма). Применяется там, где важна целостность данных – в серверах и маршрутизаторах. СтОит дорого, работает относительно медленно; для оверклокера – малопривлекательная, да и не все чипсеты ее поддерживают.

Вопрос: Прочитал в статье, что XXX память гонится с 800 Мгц дефолтных, до 1150 Мгц, однако я смог ее разогнать только то 900. В чем причина?

Ответ: Возможно, у вас другая ревизия памяти и сделана память на других чипах, с более худшими оверклокерскими способностями. Также всякий разгон это лотерея, кому-то везет больше, кому-то меньше.

Вопрос: Как узнать на каких чипах у меня память?

Ответ: Для этого нужно лишь посмотреть DDR ram list

и DDRII ram list

Если у вас память DDR, то рекомендую почитать FAQ по выбору и разгону гиговых модулей памяти DDR. (составил товарищ =DEAD=)

Вопрос: Какие чипы памяти имеют самый высокий разгон?

Ответ: Для памяти DDR самыми лучшими чипами в плане разгона были Winbond.

Поподробнее можно почитать тут FAQ по Winbond. (Составил товарищ Shurik Dribenetc)

Для памяти DDRII самыми лучшими являются чипы Micron ревизии D. Поподробнее можно почитать в данной теме: DDR2 на чипах Micron. FAQ на 1 странице. составили товарищи Knu & vansergeich

Вопрос: Что такое EPP? ( Enhanced Performance Profiles)

Ответ: Сначала начнем с того, что каждый модуль памяти DDRII имеет микросхму SPD, в которую зашиты информация о таймингах, частотах, наименование изготовителя и модели, серийный номер и т.д. Однако SPD

редполагает хранения таких важных параметров, как напряжение питания и Command Rate, а также ряда тонких настроек, а как правило новчикам тяжело самим выставить правильное напряжение питания, тайминги и частоту.

В случае использования EPP, биос сам считывает нужную информацию о таймингах, частоте и напяжение питания и сам все выставляет автоматом.

Вообще EPP нужно для того, чтобы облегчить сам процесс разгона, а модули памяти с ее поддержкой носят знак отдельный значок SLI-Ready Memory.

На данный момент не все чипсеты поддерживают технологию EPP, однако со временем этот список должен расшириться

Вопрос: Что обозначает приставка EL в названии модуля памяти?

Ответ: Данная приставка имеет 2 разных обозначения. В первом случае как Enhanced Latency, если вы читали мой mini FAQ по OCZ DDRII, то могли увидеть что я это просто память с низкими таймингами, но некоторые фирмы приставку EL расшифровывают как Eased Latency – память с обычными таймингами (5-5-5-15 для памяти DDRII например)

Вопрос: Какие ограничения по объему памяти накладывают современные операционные системы семейства Windows?

Ответ: Старые операционные системы Windows 9x/ME могут работать только с 512мб оперативной памяти.

Современные 32х битные операционные системы Windows 2000/2003/XP и Vista поддерживают 4гб, однако в реальности не могут "видеть" в большинстве случаев больше 3.25гб.

Более ранние системы Windows XP Starter Edition и Windows Vista Starter не могут работать более с чем 1гб оперативной памяти.

Для того, чтобы операционная система смогла "увидеть" все 4гб оперативной памяти, нужно установить 64 битную версию Windows XP/Vista.

Максимальный поддерживаемый объем 64-разрядной Windows Vista зависит от ее версии и составляет:

- Home Basic - 8 Гб;

- Home Premium - 16 Гб;

- Ultimate - Более 128 Гб;

- Business - Более 128 Гб;

- Enterprise - Более 128 Гб.

Также рекомендую почитать данную ветку конференции4 Gb оперативки - реально?

Вопрос: Решил брать память DDR3, но еще очень мало тестов о ней, стоит ли ее брать?

Ответ: Пока сказать трудно, стоит ее брать или нет, но можете почитать мой FAQ по DDR3,также в данной ветке вы можете задать все интересующие вас вопросы.

Вопрос: Приобрел 4 модуля памяти, установил, комп запустился, но память не стабильно, часто вылетает из игр и т.д. Что делать?

Ответ: 1) Попробуйте поднять напряжение на память на 0.1-0.2V

2) Также выставьте максимальные тайминги, которая позволяется ваша материнская плата.

3) понизьте частоту оперативной памяти, если, у вас DDRII 800, то снизьте ее до 667 и т.д.

4) Повысьте напряжение на северном мосту на 0.15V-0.3V, дальше только с хорошим охлаждением.

И если у вас что-нибудь не получается и вы в разгоне новичок, не расстраивайтесь, опыт приходит со временем, я тоже не стал сразу писать FAQ-и . Удачи в разгоне! Думаю мой FAQ вам поможет.

Просьба все дополнения, критику, писать мне в ЛС. Буду очень благодарен. FAQ by A1BEKON

Последний раз редактировалось: A1BEKON (14.09.2007 15:33), всего редактировалось 1 раз