вопрос по оперативке?

[groboid]

задался вопросом что обозначают С7, С8, С9 и какая между ними разница?

например:

DIMM DDR3 2048MBx2 PC12800 1600MHz Corsair XMS3 9-9-9-24 XMP [CMX4GX3M2A1600C9]

DIMM DDR3 2048MBx2 PC12800 1600MHz Corsair XMS3 8-8-8-24 XMP [CMX4GX3M2A1600C8]

DIMM DDR3 2048MBx2 PC12800 1600MHz Corsair XMS3 7-8-7-20 [CMX4GX3M2A1600C7]

[yurark]

тайминги

точнее CL

короче задержки - быстрее работает

[Xardas]

Другое название этого термина — латентность, CAS Latency (CAS Latency = CL), то есть временная задержка сигнала. Обычно эти временные задержки так и называют — тайминги и для краткости записывают в виде: «2-2-2» (например). Это записанные по порядку следующие параметры: CAS Latency, RAS to CAS Delay и RAS Precharge Time. Они могут принимать значения от 2 (линейка модулей памяти Kingston HyperX , OCZ) до 9. От них в значительной степени зависит пропускная способность участка «процессор-память» и, как следствие, быстродействие основных компонентов системы.

Пример из практики: система с памятью на частоте 100 МГц с таймингами 2-2-2 обладает примерно такой же производительностью, как та же система на частоте 112 МГц, но с задержками 3-3-3. Другими словами, в зависимости от задержек, разница в производительности может достигать 10 %.

Мера таймингов — такт . Таким образом, каждая цифра в формуле 2-2-2 означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах системной шины. Если указывается только одна цифра (например, CL2), то подразумевается только первый параметр, то есть CAS Latency. Остальные при этом не обязательно равны ему! Практика показывает, что обычно прочие параметры выше, а значит и память менее производительна (т.е. это маркетинговый ход, в спецификации указать один тайминг, который не даёт представления о задержках памяти при выполнении иных операций).

Иногда формула таймингов для памяти может состоять из четырёх цифр, например 2-2-2-6. Последний параметр называется «DRAM Cycle Time Tras/Trc» и характеризует быстродействие всей микросхемы памяти. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS# Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).

Производители обычно снабжают свои чипы, на основе которых построена планка памяти, информацией о рекомендуемых значениях таймингов, для наиболее распространенных частот системной шины. Просмотреть эту информацию можно например программой CPU-Z.

С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти, до её покупки. Таймингам памяти поколения DDR придавалось большое значение, поскольку кеш процессора был относительно мал и программы часто обращались к памяти. Таймингам памяти поколения DDR3 уделяется гораздо меньшее внимания, поскольку современные процессоры (например Intel Core DUO и Intel I5,I7) имеют относительно большие L2 кеши и снабжены (опять же относительно) огромным L3 кеш, что позволяет этим процессорам гораздо реже обращаться к памяти, а в некоторых случаях программа целиком помещается в кеш процессора.

CAS-латентность CL - Задержка между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда нужная строка уже открыта.

Row Address to Column Address Delay TRCD - Число тактов между открытием строки и доступом к столбцам в ней. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти без активной строки - TRCD + CL.

Row Precharge Time TRP - Число тактов между командой на предварительный заряд банка (закрытие строки) и открытием следующей строки. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда активна другая строка - TRP + TRCD + CL.

Row Active Time TRAS - Число тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки. Накладывается на TRCD. Обычно примерно равно сумме трёх предыдущих чисел.

[chabrez]

Подскажите пожалуйста, у меня мать Gigabyte GA-P35-DS3L, эверест пишет, что "Чипсет - Поддерживаемые типы памяти DDR2-667 SDRAM, DDR2-800 SDRAM, DDR3-800 SDRAM, DDR3-1066 SDRAM, DDR3-1333 SDRAM" и на оф.сайте написано, что Р35 поддерживают DDR3. Так ли это, и будет ли моя мамка работать на такой памяти?

[ulchi]

chabrez

читай мануал, отзывы про свою мать поищи... может у кого-то получилось... а то хитрые производители частенько заявляют поддержку, которую на деле реализовать нереально. где-то я читал (про асус чоле, на оверах) что для поддержки частоты памяти которая указана на коробке надо задирать базовую частоту матери до нереала, там чуваки чо-то с напругой возились, но так и не смогли заставить память заработать на указаных частотах...

[David Blaine]

и на оф.сайте написано, что Р35 поддерживают DDR3

ты где это вычитал? ну ка линку давай

потому что вот опровержение, нет у этой мамки никаких ддр3.

http://www.gigabyte.ru/products/page/mb/ga-p35-ds3l_10

[ms@k]

p35 начал поддерживать ддр3, были гибридные мамы - но глючили и не оправдали своих надежд